模组封装哪家好

SIP工艺解析，引线键合封装工艺工序介绍：圆片减薄，为保持一定的可操持性，Foundry出来的圆厚度一般在700um左右。封测厂必须将其研磨减薄，才适用于切割、组装，一般需要研磨到200um左右，一些叠die结构的memory封装则需研磨到50um以下。圆片切割，圆片减薄后，可以进行划片，划片前需要将晶元粘贴在蓝膜上，通过sawwing工序，将wafer切成一个 一个 单独的Dice。目前主要有两种方式：刀片切割和激光切割。芯片粘结，贴装的方式可以是用软焊料(指Pb-Sn合金，尤其是含Sn的合金)、Au—Si低共熔合金等焊接到基板上，在塑料封装中较常用的方法是使用聚合物粘结剂粘贴到金属框架上。随着SiP模块成本的降低，且制造工艺效率和成熟度的提高。模组封装哪家好

通信SiP 在无线通信领域的应用较早，也是应用较为普遍的领域。在无线通讯领域，对于功能传输效率、噪声、体积、重量以及成本等多方面要求越来越高，迫使无线通讯向低成本、便携式、多功能和高性能等方向发展。SiP 是理想的解决方案，综合了现有的芯核资源和半导体生产工艺的优势，降低成本，缩短上市时间，同时克服了 SOC 中诸如工艺兼容、信号混合、噪声干扰、电磁干扰等难度。手机中的射频功放，集成了频功放、功率控制及收发转换开关等功能，完整地在 SiP 中得到了解决。模组封装哪家好SiP封装技术采取多种裸芯片或模块进行排列组装。

包装，主要目的是保证运输过程中的产品安全，及长期存放时的产品可靠性。对包装材料的强度、重量、温湿度特性、抗静电性能都有一定的要求。主要材料有Tray盘，抗静电袋，干燥剂、湿度卡，纸箱等。包装完毕后，直接入库或按照要求装箱后直接发货给客户。倒装焊封装工艺工序介绍，焊盘再分布，为了增加引线间距并满足倒装焊工艺的要求，需要对芯片的引线进行再分布。制作凸点，焊盘再分布完成之后，需要在芯片上的焊盘添加凸点，焊料凸点制作技术可采用电镀法、化学镀法、蒸发法、置球法和焊膏印尽4法。目前仍以电镀法较为普遍，其次是焊膏印刷法。

PoP(Package-on-Package)，是用于将逻辑器件和存储器器件进行叠层封装的技术。通常情况下底层多为逻辑器件，例如移动电话基带（调制解调器）处理器或应用处理器，上层为存储器，例如闪存或者叠层内存芯片。显然，这种垂直组合封装的一个优点是节省了电路板空间。适用于需要在更小空间内实现更多功能的应用，例如数码相机、PDA、MP3 播放器和移动游戏设备等。POP的工艺流程，PoP的组装方式目前有两种。一种是预制PoP工序，即先将PoP的多层封装堆叠到一起，焊接成一个元器件，再贴装到PCB上，然后再进行一次回流焊。一种是在板PoP工序上，依次将底部的BGA和顶部BGA封装在PCB上，然后过一次回流焊。SiP可以说是先进的封装技术、表面安装技术、机械装配技术的融合。

失效分析三步骤 X射线检测(3D X–ray)：透过失效分析当中的X–ray检测，我们可以深入确认模块是否有封装异常，并且找出异常组件的位置。 材料表面元素分析(XPS)：接着，利用XPS针对微米等级的模块表面进行更细微的元素分析，以此探究模块出现电阻值偏高、电性异常、植球脱球及镀膜脱层等现象是否来自于制程的氧化或污染。 傅立叶红外线光谱仪（FTIR）：如明确查找到污染物目标，则可再接续使用FTIR进行有机污染物的鉴定，定义出问题根源究竟是来自哪一个阶段，以此找出正确解决方案。随着SIP封装元件数量和种类增多，在尺寸受限或不变的前提下，要求单位面积内元件密集程度必须增加。辽宁IPM封装型式

Sip系统级封装通过将多个裸片（Die）和无源器件融合在单个封装体内，实现了集成电路封装的创新突破。模组封装哪家好

对于堆叠结构，可以区分如下几种：芯片堆叠、PoP、PiP、TSV。堆叠芯片，是一种两个或更多芯片堆叠并粘合在一个封装中的组装技术。这较初是作为一种将两个内存芯片放在一个封装中以使内存密度翻倍的方法而开发的。 无论第二个芯片是在头一个芯片的顶部还是在它旁边，都经常使用术语“堆叠芯片”。技术已经进步，可以堆叠许多芯片，但总数量受到封装厚度的限制。芯片堆叠技术已被证明可以多达 24 个芯片堆叠。然而，大多数使用9 芯片高度的堆叠芯片封装技术的来解决复杂的测试、良率和运输挑战。芯片堆叠也普遍应用在传统的基于引线框架的封装中，包括QFP、MLF 和 SOP 封装形式。如下图2.21的堆叠芯片封装形式。模组封装哪家好